摘要：本發(fā)明公開了一種ZnTe單晶體的制備方法，用于解決現(xiàn)有方法制備的ZnTe單晶體尺寸小的技術(shù)問題。技術(shù)方案是首先對(duì)石英坩堝進(jìn)行處理，并在石英坩堝內(nèi)壁上沉積一層碳膜。將單質(zhì)Zn和Te裝入處理好的石英坩堝中并真空封裝。將真空封裝好的石英坩堝裝入搖擺爐中，使用階梯升溫、搖擺，使融化的單質(zhì)Zn和Te充分混合，搖擺結(jié)束后保溫，之后爐冷至室溫。對(duì)上下爐體升溫到預(yù)設(shè)的目標(biāo)溫度后進(jìn)行保溫，后下降石英坩堝進(jìn)行晶體選晶生長(zhǎng)，晶體生長(zhǎng)一段時(shí)間后，對(duì)上下爐體同時(shí)同速率降溫，晶體生長(zhǎng)結(jié)束，降溫退火后關(guān)閉電源進(jìn)行爐冷。本發(fā)明通過對(duì)長(zhǎng)晶爐溫場(chǎng)、降溫速率和石英坩堝下降速率進(jìn)行控制，在無籽晶條件下制備出了大尺寸ZnTe單晶體。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人西北工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人徐亞東;柏偉;姬磊磊;劉航;符旭;劉長(zhǎng)友;介萬奇;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510468818.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年08月04日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105063741A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年11月18日
- 分類號(hào)C30B11/00(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I;
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