摘要：本實(shí)用新型涉及一種下降法生長(zhǎng)單晶體用的真空石英坩堝，在所述真空石英坩堝內(nèi)部襯有一個(gè)石墨坩堝，所述石墨坩堝的底部與所述真空石英坩堝的底部完全接觸，所述石墨坩堝的外側(cè)壁與所述真空石英坩堝的內(nèi)側(cè)壁之間的空隙在0.4mm～0.6mm之間。本加襯真空石英坩堝不需要較復(fù)雜的工藝控制即可制造完成，在使用過(guò)程中石墨坩堝與晶體不粘連，晶體不碎裂，坩堝可多次重復(fù)使用，適用于生長(zhǎng)大尺寸的單晶體。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人北京濱松光子技術(shù)股份有限公司;
- 發(fā)明人張紅武;黃朝恩;
- 地址100070北京市豐臺(tái)區(qū)南四環(huán)西路188號(hào)11區(qū)18號(hào)樓
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200920106747.X
- 申請(qǐng)時(shí)間2009年04月08日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN201428006Y
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2010年03月24日
- 分類號(hào)C30B11/00(2006.01)I;
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