摘要：本發(fā)明為真空封閉式坩堝下降法生長摻鉈碘化鈉(NaI(Tl))單晶體的新工藝技術(shù)，屬于碘化鈉晶體的單晶生長領(lǐng)域。在內(nèi)部襯有與摻鉈碘化鈉熔體不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)、且底部為錐形的石英坩堝內(nèi)加入碘化鈉原料，在真空度優(yōu)于5×10-3Pa的狀態(tài)下進(jìn)行熱處理，逐步升溫到300℃后恒溫至少8個(gè)小時(shí)，在真空度保持不變的情況下降至室溫；之后向所述石英坩堝內(nèi)部加入摻雜原料碘化鉈，進(jìn)行二次抽真空和熱處理，直至達(dá)到真空度優(yōu)于3×10-3Pa并且溫度為200℃的狀態(tài)，在此狀態(tài)下恒溫至少8個(gè)小時(shí)，并對(duì)石英坩堝口進(jìn)行熔封處理，之后按照本技術(shù)領(lǐng)域公知的下降法生長摻鉈碘化鈉單晶體。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人北京濱松光子技術(shù)股份有限公司;
- 發(fā)明人張紅武;黃朝恩;
- 地址100070 北京市豐臺(tái)區(qū)南四環(huán)西路188號(hào)11區(qū)18號(hào)樓
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200910078944.X
- 申請(qǐng)時(shí)間2009年03月02日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101824646B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年05月30日
- 分類號(hào)C30B11/00(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I;
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