摘要：本發(fā)明公開了一種鑄造單晶硅錠的方法，還公開了一種鑄造單晶硅錠的裝置。本發(fā)明采用局部凝固方法得到初始晶核，采用誘導(dǎo)生長和轉(zhuǎn)向生長和熔化初始晶核的方法得到籽晶，通過逐步擴大凝固區(qū)域，使籽晶長大并覆蓋坩堝底部，最后讓籽晶生長轉(zhuǎn)變?yōu)槎ㄏ蚰?，從而制備出錯位密度較低的單晶硅錠。本發(fā)明不需要使用長晶棒，便于控制鑄造過程，也不需要籽晶，降低了成本。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人西華大學(xué);
- 發(fā)明人金應(yīng)榮;賀毅;陳寶軍;何知宇;張潔;李翔;龔鵬;蘇敏;金玉山;
- 地址610039 四川省成都市金牛區(qū)金周路999號
- 申請?zhí)?/b>CN201310471418.6
- 申請時間2013年10月10日
- 申請公布號CN103526278B
- 申請公布時間2015年11月04日
- 分類號C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;
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