摘要：一種用碘化鉛熔體生長(zhǎng)單晶體的方法，是以經(jīng)過提純的碘化鉛粉末為原料，在專用的安瓿中完成。依次包括清潔安瓿、裝料并除氣封瓿、生長(zhǎng)與冷卻四個(gè)工藝步驟。該方法能夠抑制碘化鉛熔體的分解與碘的蒸發(fā)，能夠排除分凝的鉛。與該方法配套的專用安瓿用石英管制作，由封閉端呈“棗形”的籽晶袋(1)、生長(zhǎng)室(2)、連通器(3)、鉛液管(4)、裝料管(5)、掛鉤(6)構(gòu)成組合體。裝料后的安瓿放入兩段溫度區(qū)域垂直管式爐中，完成晶體生長(zhǎng)過程。該方法制備的單晶體呈現(xiàn)均勻的桔紅色半透明狀態(tài)、應(yīng)力小，尺寸可達(dá)Φ(15～20)×30毫米，剛生長(zhǎng)出的單晶體的電阻率可達(dá)1012Ω·cm～1013Ω·cm，因而應(yīng)用面廣，特別適合于制作室溫核輻射探測(cè)器。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人西華大學(xué);
- 發(fā)明人金應(yīng)榮;朱興華;賀毅;朱世富;趙北君;欒道成;
- 地址610039四川省成都市西郊西華大學(xué)科技處
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200610020393.8
- 申請(qǐng)時(shí)間2006年03月02日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN100408731C
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2008年08月06日
- 分類號(hào)C30B11/00(2006.01);C30B29/12(2006.01);
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