摘要：本發(fā)明涉及晶體生長設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及利用坩堝下降法生長大尺寸晶體的水冷桿及使用該水冷桿的晶體生長爐。本發(fā)明提供的水冷桿包括上水冷段和下水冷段，所述上水冷段和所述下水冷段均設(shè)有進水口利出水口；本發(fā)明提供了一種包括上述水冷桿的晶體生長爐。本發(fā)明采用分段式水冷桿米調(diào)節(jié)溫場，可有效地傳導(dǎo)結(jié)晶潛熱，保證溫場的平衡。此外，本發(fā)明還提供了一種包括上述水冷桿的封閉式晶體生長爐，該晶體生長爐不但消除了揮發(fā)物對環(huán)境的污染，使得坩堝不需要密封，從而能夠多次使用，而且在抽真空或充氣的條件下能夠有效地防止加熱爐絲因氧化而損壞。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京濱松光子技術(shù)股份有限公司;
- 發(fā)明人潘興彥;張紅武;韓永飛;于立偉;
- 地址100070 北京市豐臺區(qū)南四環(huán)西路128號院3號樓903室
- 申請?zhí)?/b>CN201310131908.1
- 申請時間2013年04月17日
- 申請公布號CN104109901A
- 申請公布時間2014年10月22日
- 分類號C30B11/00(2006.01)I;
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