摘要：本發(fā)明涉及晶體生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及利用坩堝下降法生長(zhǎng)大尺寸晶體的水冷桿及使用該水冷桿的晶體生長(zhǎng)爐。本發(fā)明提供的水冷桿包括上水冷段和下水冷段，所述上水冷段和所述下水冷段均設(shè)有進(jìn)水口利出水口；本發(fā)明提供了一種包括上述水冷桿的晶體生長(zhǎng)爐。本發(fā)明采用分段式水冷桿米調(diào)節(jié)溫場(chǎng)，可有效地傳導(dǎo)結(jié)晶潛熱，保證溫場(chǎng)的平衡。此外，本發(fā)明還提供了一種包括上述水冷桿的封閉式晶體生長(zhǎng)爐，該晶體生長(zhǎng)爐不但消除了揮發(fā)物對(duì)環(huán)境的污染，使得坩堝不需要密封，從而能夠多次使用，而且在抽真空或充氣的條件下能夠有效地防止加熱爐絲因氧化而損壞。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人北京濱松光子技術(shù)股份有限公司;
- 發(fā)明人潘興彥;張紅武;韓永飛;于立偉;
- 地址100070 北京市豐臺(tái)區(qū)南四環(huán)西路128號(hào)院3號(hào)樓903室
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310131908.1
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年04月17日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN104109901A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年10月22日
- 分類號(hào)C30B11/00(2006.01)I;
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