摘要：一種半導(dǎo)體設(shè)備承載區(qū)域的硅片分布狀態(tài)組合檢測方法及裝置，在位于硅片組上方的承載器端蓋內(nèi)表面，設(shè)置有與端蓋中心對(duì)稱的兩條平行滑軌，在軌道的相對(duì)位置設(shè)置有第一和第二光電傳感器組/超聲波傳感器組；在位于硅片承載器圓周側(cè)邊的機(jī)械手U形端部相對(duì)位置上，設(shè)置有第三和第四光電傳感器組；且承載器和機(jī)械手間可以作相對(duì)旋轉(zhuǎn)和/或定位的運(yùn)動(dòng)；在第一檢測子階段的自接收模式下，執(zhí)行硅片凸片的異常狀態(tài)極限位置預(yù)掃描指令；通過在第二和第三檢測子階段的互接收模下，執(zhí)行硅片凸片的異常狀態(tài)循環(huán)掃描指令和執(zhí)行硅片分布狀態(tài)異常掃描指令，對(duì)硅片發(fā)生處于凸片、疊片、斜片或無片等異常分布狀態(tài)進(jìn)行掃描檢測，且在承載器的周圍布設(shè)多個(gè)掃描檢測點(diǎn)，進(jìn)一步地提高了檢測精度。
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