摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種AlN緩沖層及具有該緩沖層的芯片的制備方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。所述方法包括：在襯底上，制備有機(jī)微球模板，有機(jī)微球模板包括納米微球模板；在有機(jī)微球模板上，沉積AlN緩沖層；將AlN緩沖層進(jìn)行高溫退火處理，去除有機(jī)球模板中的有機(jī)微球，形成具有多孔結(jié)構(gòu)的AlN緩沖層。本發(fā)明通過(guò)有機(jī)微球模板在AlN緩沖層中引入多孔結(jié)構(gòu)，既可以減少外延缺陷，提高外延質(zhì)量，又增加與襯底之間巨大的折射率反差來(lái)提高光在襯底界面處的反射能力，增強(qiáng)出光效率，并且將微球模板與物理氣相沉積結(jié)合，以制備具有多孔結(jié)構(gòu)的AlN緩沖層，方法簡(jiǎn)單易行，便于大規(guī)模生產(chǎn)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人吳志浩;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510051801.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年01月31日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN104701137A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年06月10日
- 分類號(hào)H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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