摘要：本發(fā)明提供了一種用電子束作用在硅材料上制備納米硅結(jié)構(gòu)的方法及裝置。本發(fā)明在非晶硅薄膜上用電子束輻照進行晶化，以生長納米硅結(jié)構(gòu)，這樣的方式具有納米硅生長速度快、納米形貌尺寸可控與尺度分布范圍較窄等優(yōu)點。可用于制備發(fā)光量子點材料，發(fā)光效果很好。本發(fā)明方法簡單，易于實施，成本低廉，使用效果好。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人黃偉其;
- 地址550025 貴州省貴陽市花溪區(qū)貴州大學(xué)北校區(qū)科學(xué)技術(shù)處
- 申請?zhí)?/b>CN201610484538.3
- 申請時間2016年06月28日
- 申請公布號CN106098534A
- 申請公布時間2016年11月09日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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