摘要：本發(fā)明公開了一種GaN基外延片襯底的回收方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：將GaN基外延片放入真空的反應(yīng)腔內(nèi)；向所述反應(yīng)腔內(nèi)通入還原氣體和催化氣體，以使所述GaN基外延片的GaN在真空下發(fā)生還原反應(yīng)。本發(fā)明通過將GaN基外延片放入真空的反應(yīng)腔內(nèi)，向反應(yīng)腔內(nèi)通入還原氣體和催化氣體，以使GaN基外延片的GaN發(fā)生還原反應(yīng)，將GaN基外延片的GaN還原成單質(zhì)鎵和氨氣，從而與襯底分離。該方法在高溫環(huán)境下對襯底材料無物理和化學(xué)性損傷，保持了襯底的完整性，且該方法原理簡單，過程可控，可以使GaN的分解速率較高，從而提高了襯底回收的速度。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人皮智華;劉榕;張建寶;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201310021876.X
- 申請時(shí)間2013年01月21日
- 申請公布號CN103137439A
- 申請公布時(shí)間2013年06月05日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;
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