摘要：本發(fā)明公開一種用納米棒制備的圖形化襯底的方法，該方法在襯底上制備一層薄膜，該薄膜結(jié)構(gòu)可以是納米棒構(gòu)成的薄膜，或分布布拉格反射層，或者分布布拉格反射層加上納米棒薄膜。其中分布布拉格反射層是納米棒波膜和其它介質(zhì)材料交替構(gòu)成的；在薄膜上制備用于刻蝕的掩模；通過干法刻蝕，將掩模圖形轉(zhuǎn)移到薄膜上，使納米棒的外形呈半球體，圓錐體或圓臺形；去除殘留的光刻膠。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：納米棒形成的半球形圖形化襯底的反射率，比常用的藍(lán)寶石圖形化襯底高，特別是對于斜角入射的光，反射率更高，這樣有利于進(jìn)一步提高襯底上發(fā)光二極管的光抽取效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人徐瑾;王江波;劉榕;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201110258726.1
- 申請時間2011年09月02日
- 申請公布號CN102315097A
- 申請公布時間2012年01月11日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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