摘要：本發(fā)明公開一種應用于CVD成膜工藝的膜厚與氣體流量的建模方法，包括在基礎(chǔ)工藝條件下獲取測試硅片的基準膜厚；進行多組膜厚調(diào)節(jié)實驗獲得不同實驗條件下測試硅片的膜厚，其中每組實驗的實驗條件為僅改變基礎(chǔ)工藝條件的工藝氣體流量；以及根據(jù)得到的多個測試硅片的膜厚相對于基準膜厚的多個膜厚變化值，以及多個測試硅片的膜厚所對應的氣體流量相對于基礎(chǔ)工藝條件的氣體流量的多個流量變化值，計算得到線性的膜厚流量變化關(guān)系模型。本發(fā)明還提供了一種膜厚在線優(yōu)化方法，根據(jù)膜厚流量變化關(guān)系模型、針對該關(guān)系模型設(shè)定的限制條件以及目標膜厚與基準膜厚的差值，計算氣體流量的最優(yōu)變化量。本發(fā)明可提高調(diào)試效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人王艾;徐冬;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號
- 申請?zhí)?/b>CN201410730097.1
- 申請時間2014年12月04日
- 申請公布號CN104451608A
- 申請公布時間2015年03月25日
- 分類號C23C16/52(2006.01)I;
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