摘要：本發(fā)明屬于材料制備方法,具體涉及一種C包覆HfC晶須的制備方法，技術(shù)特征在于：不采用催化劑制備C包覆HfC晶須，采用HfCl4-C3H6-H2-Ar體系沉積HfC-C晶須。本發(fā)明的有益效果：不采用催化劑制備C包覆HfC晶須，而且設(shè)備簡(jiǎn)單易于操作。另外采取一步法制備，可以減少雜質(zhì)的引入。以此制備的同軸電纜結(jié)構(gòu)HfC-C晶須，有望改善增強(qiáng)體的界面結(jié)合，以提高HfC晶須的增強(qiáng)效果。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人西北工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人王永杰;李賀軍;付前剛;吳恒;姚棟嘉;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210469672.8
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年11月19日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102965638B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年11月05日
- 分類號(hào)C23C16/26(2006.01)I;C22C49/14(2006.01)I;C22C101/12(2006.01)N;C22C121/02(2006.01)N;
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