摘要：本發(fā)明公開了一種卷對卷連續(xù)石墨烯薄膜生長設(shè)備及其生長工藝，它包括有機體，工作臺兩端分別設(shè)有真空腔，真空腔室上連接有真空管，真空腔室一側(cè)依次設(shè)有射頻等離子發(fā)生器、加熱爐、液氮冷阱；通過在真空腔室內(nèi)設(shè)有卷狀銅箔對石墨烯進(jìn)行卷對卷連續(xù)制備大面積、高質(zhì)量石墨烯的設(shè)備。采用該設(shè)備制備石墨烯，相對于現(xiàn)有方法具有快速、連續(xù)的優(yōu)點，可以進(jìn)行大面積、高質(zhì)量石墨烯的規(guī)?；L。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人安徽貝意克設(shè)備技術(shù)有限公司;
- 發(fā)明人孔令杰;吳克松;王釗;
- 地址230088 安徽省合肥市高新區(qū)科學(xué)大道110號
- 申請?zhí)?/b>CN201610076751.0
- 申請時間2016年01月31日
- 申請公布號CN105624640A
- 申請公布時間2016年06月01日
- 分類號C23C16/26(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;
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