摘要：本實(shí)用新型公開了一種提高晶片腐蝕均勻性的裝置，包括第一噴淋臂以及第一噴淋裝置,第一噴淋裝置安裝在可帶動(dòng)其旋轉(zhuǎn)和/或升降的第一噴淋臂上，第一噴淋裝置的長(zhǎng)度與晶片的半徑或直徑一致，其噴出的化學(xué)藥液可瞬間同時(shí)覆蓋晶片的表面。本實(shí)用新型通過設(shè)置第一噴淋裝置，在噴射化學(xué)藥液時(shí)，伴隨晶片高速旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)，可在晶片表面瞬時(shí)均勻覆蓋化學(xué)藥液，使得晶片表面各處同時(shí)與化學(xué)藥液產(chǎn)生反應(yīng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)藥液在起噴點(diǎn)處腐蝕速率高于晶片其他各處的問題，提高了晶片的腐蝕的均勻性；進(jìn)一步的，在晶片腐蝕過程中，還可通過調(diào)整第二噴淋裝置的擺動(dòng)速率，精確控制晶片腐蝕速率，進(jìn)一步提高晶片的腐蝕均勻性。
- 專利類型實(shí)用新型
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- 發(fā)明人劉偉;許璐;
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