摘要：本發(fā)明公開了一種新型發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。該新型發(fā)光二極管外延片包括：襯底，以及依次覆蓋在襯底上的u型GaN層、N型GaN層、多量子阱有源層、P型AlGaN層和P型GaN載流子層，多量子阱有源層包括交替生長(zhǎng)的多個(gè)InGaN阱層和多個(gè)GaN壘層，所述GaN壘層包括依次覆蓋在所述InGaN阱層上的第一GaN子層、第二GaN子層和第三GaN子層，所述第二GaN子層為生長(zhǎng)過程中采用銦源進(jìn)行表面處理的GaN子層。采用銦源處理生長(zhǎng)的GaN相比于普通的GaN的晶格失配減小，同時(shí)壘結(jié)構(gòu)的能帶高度降低，使得注入多量子阱有源層中的空穴濃度明顯增加，所以大大提高了電子和空穴在多量子阱有源層中的復(fù)合效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510926979.X
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年12月14日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105405947A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年03月16日
- 分類號(hào)H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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