摘要：本發(fā)明提供一種SiC襯底GaN基紫外LED外延片、SiC襯底GaN基紫外LED器件及制備方法，SiC襯底GaN基紫外LED外延片包括自下而上設(shè)置的n型SiC襯底、緩沖層、導(dǎo)電的布拉格反射鏡層(DBR)、n-AlxGa1-xN層、紫外發(fā)光多量子阱層和p-GaN層，所述X選自0-1，n型SiC襯底厚度小于等于100微米。本發(fā)明還公開了一種采用所述SiC襯底GaN基紫外LED外延片制備而成的器件。本發(fā)明所述外延片和器件利用導(dǎo)電的布拉格反射鏡層將量子阱向襯底方向發(fā)射的光反射回表面方向，同時(shí)利用其導(dǎo)電特性，在解決SiC材料對紫外光吸收同時(shí)，也實(shí)現(xiàn)了外延片和器件的垂直電流輸運(yùn)、高光提取效率及高散熱能力。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;大連理工大學(xué);
- 發(fā)明人蔣建華;梁紅偉;夏曉川;黃慧詩;閆曉密;
- 地址214000 江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號
- 申請?zhí)?/b>CN201510274602.0
- 申請時(shí)間2015年05月26日
- 申請公布號CN104979446A
- 申請公布時(shí)間2015年10月14日
- 分類號H01L33/32(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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