摘要：在GaAs襯底上生長(zhǎng)的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)從下至上依次包括襯底、緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述襯底為GaAs襯底，所述緩沖層包括ZnO緩沖層和生長(zhǎng)在ZnO緩沖層上的金屬氮化物緩沖層，所述U型GaN層從下至上依次包括U1型GaN層、布拉格反射層和U2型GaN層。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型采用GaAs襯底，具有品質(zhì)高、易解離且成本相對(duì)比較低的特點(diǎn)，而且易做垂直結(jié)構(gòu)、易于p型摻雜，可提高出光效率。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人南通同方半導(dǎo)體有限公司;同方股份有限公司;
- 發(fā)明人田宇;鄭建欽;吳真龍;曾頎堯;李鵬飛;
- 地址100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場(chǎng)A座29層
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201520546828.7
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年07月27日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN204809249U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年11月25日
- 分類號(hào)H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
教育裝備采購(gòu)網(wǎng)企業(yè)微信客服
京公網(wǎng)安備11010802043465號(hào)
