一種高抗靜電能力的LED外延結(jié)構(gòu)

　　摘要：一種高抗靜電能力的LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管外延技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明LED外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括藍(lán)寶石襯底、Buffer緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述U型GaN層中摻雜Si元素，Si元素的摻雜濃度為1x10¹⁷cm³?8x10¹⁷cm³。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能夠提高芯片的抗靜電能力，有效提高LED的亮度。

專利類型發(fā)明專利
申請(qǐng)人南通同方半導(dǎo)體有限公司;同方股份有限公司;
發(fā)明人錢凱;杜小青;曹強(qiáng);徐晶;吳梅梅;
地址226015 江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)東方大道499號(hào)
申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510249763.4

申請(qǐng)時(shí)間2015年05月18日

申請(qǐng)公布號(hào)CN106299067A

申請(qǐng)公布時(shí)間2017年01月04日

分類號(hào)H01L33/32(2010.01)I;

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