摘要：一種具有前饋補償?shù)陌雽w工藝設(shè)備的溫控方法，該半導體工藝設(shè)備中包括一個或多個控溫區(qū)的溫控，該方法包括根據(jù)半導體工藝預設(shè)的溫控條件，構(gòu)建溫控的前饋補償參考信號軌跡，即將整個溫控升溫階段劃分為包括高速升溫階段和標準升溫階段，所述高速升溫階段完成從初始溫度t到第一中間溫度t’的升溫過程，所述標準升溫階段完成從第一中間溫度t’到目標溫度T的升溫過程；標準升溫階段的參考信號軌跡滿足所述預設(shè)溫控條件，高速升溫階段的升溫速率高于標準升溫階段的升溫速率；以及基于獲得的前饋補償參考信號的軌跡，進行該溫控系統(tǒng)的控制操作。本發(fā)明能減弱溫控系統(tǒng)時滯性的影響，加快爐體的升溫效果，提高半導體工藝設(shè)備的產(chǎn)能。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人王峰;付運濤;劉晨曦;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號
- 申請?zhí)?/b>CN201410554332.4
- 申請時間2014年10月17日
- 申請公布號CN104298268B
- 申請公布時間2017年01月25日
- 分類號G05D23/00(2006.01)I;
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