摘要：本發(fā)明公開了一種帶三角槽的SOI-LDMOS高壓功率器件。本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)SOI-LDMOS器件關(guān)斷時，漏極電壓將在埋氧層下方誘導(dǎo)出電子反型層，它會阻止等勢線穿過埋氧層，導(dǎo)致?lián)舸┻^早發(fā)生在硅層，縱向耐壓難以提高的問題，公開了一種帶三角槽的SOI-LDMOS高壓功率器件。其主要是通過在漂移區(qū)下方的埋氧層上蝕刻出的三角形溝槽；這樣在漂移區(qū)下方，就存在一個埋氧層斜面，它可以束縛帶正電的空穴，形成高濃度的正面電荷，這些電荷大大提高了器件縱向耐壓。而且，器件漂移區(qū)厚度從源到漏線性增加，根據(jù)RESURF(降低表面電場)原理，橫向電場因受到調(diào)制而變得均勻，有利于提高橫向耐壓和抑制比導(dǎo)通電阻的快速增加。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人西華大學(xué);
- 發(fā)明人陽小明;李天倩;卿朝進;蔡育;
- 地址610039 四川省成都市金牛區(qū)土橋金周路999號
- 申請?zhí)?/b>CN201410539085.0
- 申請時間2014年10月13日
- 申請公布號CN104241388A
- 申請公布時間2014年12月24日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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