摘要：本發(fā)明涉及SOI技術(shù)。本發(fā)明解決了現(xiàn)有高壓PMOS雙槽隔離的SOI晶片由于雙槽之間的N型外延層浮空，PMOS源端附近的硅層仍然需要承受電壓降導(dǎo)致易被擊穿的問(wèn)題，提供了一種高壓PMOS雙槽隔離的SOI晶片，其技術(shù)方案為：高壓PMOS雙槽隔離的SOI晶片，包括源端金屬、金屬前介質(zhì)、N型外延層及兩個(gè)隔離槽，其特征在于，還包括N型歐姆接觸區(qū)及金屬，所述兩個(gè)隔離槽之間的N型外延層上表面設(shè)置有N型歐姆接觸區(qū)，其上設(shè)置有金屬并沿金屬前介質(zhì)層延伸，且與源端金屬連接。本發(fā)明的有益效果是，徹底解決電平位移電路中高端PMOS容易擊穿的問(wèn)題，適用于高壓PMOS的SOI晶片。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人四川長(zhǎng)虹電器股份有限公司;
- 發(fā)明人廖紅;
- 地址621000 四川省綿陽(yáng)市高新區(qū)綿興東路35號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201110124853.2
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年05月16日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102201448B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年01月30日
- 分類號(hào)H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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