摘要：本發(fā)明公開了一種高邊橫向雙擴散場效應晶體管，包括：P型襯底，N?外延層，P+埋層，P+對通隔離，場氧，P?top層，P?體區(qū)，P?體區(qū)接觸P+，N+源電極，柵氧層，多晶硅柵電極，N+漏電極。所述P型襯底的上面是N?外延層。所述N?外延層的一側設有P+埋層和P+對通隔離，用以隔離不同類型的器件。進一步，P?體區(qū)和P+對通隔離之間設有另一個P?體區(qū)，P?體區(qū)內設有體區(qū)接觸P+。P?體區(qū)和P?體區(qū)之間設有P?top層。本發(fā)明源電極和襯底之間的雪崩擊穿電壓大大提高，即隔離性能有了很大的改進，滿足了較高工作電壓領域的應用。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人浙江大學;
- 發(fā)明人吳煥挺;韓雁;張世峰;張煒;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
- 申請?zhí)?/b>CN201410271875.5
- 申請時間2014年06月18日
- 申請公布號CN104037231B
- 申請公布時間2016年08月31日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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