摘要：一種絕緣柵半導體器件(30)，包括柵極(34)、源極端子(36)、漏極端子(38)和柵極處的可變輸入電容。該器件導通時的輸入電容(Cfiss)和該器件截止時的輸入電容(Ciiss)之間的比值小于2，并且優(yōu)選地基本上等于1。在本發(fā)明的一個實施方式中，這是通過柵極處的有效厚度dins小于最小厚度的絕緣層(32)來實現(xiàn)的。
- 專利類型PCT發(fā)明
- 申請人西北大學;
- 發(fā)明人巴蘭德·韋斯爾;奧克爾·C.·德扎格爾;
- 地址南非波切夫斯特魯姆
- 申請?zhí)?/b>CN200480006969.4
- 申請時間2004年01月21日
- 申請公布號CN100508211C
- 申請公布時間2009年07月01日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H03K17/04(2006.01)I;
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