摘要：本發(fā)明涉及SOI基上橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)器件。本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)SOI基LDMOS器件中，僅部分漂移區(qū)參與導(dǎo)電的問題，公開了一種SOI基橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體器件，利用漂移區(qū)n型雜質(zhì)條和p型雜質(zhì)條共同導(dǎo)電，達到漂移區(qū)的充分利用，降低導(dǎo)通損耗，提高器件性能。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過在漏極電極設(shè)置n阱，在漏極n阱中設(shè)置漏極p+接觸區(qū)、漏極n+接觸區(qū)，引入寄生PNP晶體管實現(xiàn)漂移區(qū)n型雜質(zhì)條和p雜質(zhì)條共同參與導(dǎo)電，能夠達到功率集成電路對于低電阻的要求，可以達到200～700V器件耐壓要求，可用在高壓電平位移單元中，該電平位移單元可應(yīng)用為PDP尋址集成電路中作為有源元件。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人四川長虹電器股份有限公司;
- 發(fā)明人梁濤;羅波;孫鎮(zhèn);廖紅;黃勇;黃光佐;
- 地址621000 四川省綿陽市高新區(qū)綿興東路35號
- 申請?zhí)?/b>CN200910312670.6
- 申請時間2009年12月30日
- 申請公布號CN101771082B
- 申請公布時間2012年04月18日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;
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