摘要：本發(fā)明公開了一種小能帶隙III?V族MOSFET器件的非對稱型源漏極結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過在源極、漏極引入不同高摻雜漏極、漏極材料結(jié)構(gòu)，并在漏極引入場板、隔離層側(cè)墻結(jié)構(gòu)，在保證源極有足量載流子輸入的情況下，在漏極減小最高電場強(qiáng)度，使器件的離子化效應(yīng)以及隧道擊穿效應(yīng)產(chǎn)生閾值提高，從而減小漏電流。同時(shí)，通過隔離層側(cè)墻，漏極寄生電容得以減小，器件的頻率特性從而得以提高。本發(fā)明能夠提高III?V?MOSFET器件截止電壓，減小離子化效應(yīng)及隧道擊穿效應(yīng)，從而降低器件靜態(tài)漏電流及相應(yīng)靜態(tài)功耗；同時(shí)通過減小寄生電容提高器件頻率特性。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人莫炯炯;陳華;王志宇;尚永衡;王立平;郁發(fā)新;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
- 申請?zhí)?/b>CN201610337865.6
- 申請時(shí)間2016年05月22日
- 申請公布號CN105826392A
- 申請公布時(shí)間2016年08月03日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;
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