摘要：本發(fā)明的背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池的制備方法，包括：采用高濃度堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行拋光處理，在硅片的正面和背面均形成拋光結(jié)構(gòu)；在硅片的背面形成一層掩膜；采用低濃度堿溶液對(duì)硅片進(jìn)行制絨，在掩膜的保護(hù)下，只在硅片的正面形成金字塔絨面結(jié)構(gòu)；對(duì)硅片進(jìn)行擴(kuò)散前清洗，去除掩膜，保留硅片背面的拋光結(jié)構(gòu)；對(duì)硅片表面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成N+層；以及電極的制備。本發(fā)明的方法可以簡便有效地制備出背面拋光結(jié)構(gòu)單晶硅太陽能電池，并進(jìn)一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人張勤杰;杜飛龍;傅建奇;李秀青;華永云;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410043107.4
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年01月29日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103746044A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年04月23日
- 分類號(hào)H01L31/18(2006.01)I;
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