摘要：本發(fā)明公開了ZnS納米帶/CdS納米柱異質(zhì)結(jié)的合成方法，其特征在于：包含以下步驟：首先，利用離子濺射儀在硅基片上沉積金膜，ZnS粉末放置在陶瓷舟里，并將陶瓷舟放置在管式爐的熱電偶位置處，然后，將上述的硅基片放置在ZnS粉末的下風(fēng)向，通入氬氣，在氬氣的保護(hù)下將反應(yīng)溫度升至900±20℃，并在此溫度反應(yīng)2±0.5h，反應(yīng)結(jié)束后硅片上有白色樣品生成，最后，打開裝置將CdS粉末放置在熱電偶位置處，將上述制備的白色樣品放置在距離CdS粉末下風(fēng)口處，在氬氣的保護(hù)下將反應(yīng)溫度升至800±20℃，并在氬氣的保護(hù)下在此溫度反應(yīng)1±0.3h，待反應(yīng)完成并降到室溫，在硅基片上得到淡黃色的樣品。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人祁小四;謝忍;白忠臣;鐘偉;都有為;
- 地址550025 貴州省貴陽市貴州大學(xué)花溪北校區(qū)科技處
- 申請?zhí)?/b>CN201610324899.1
- 申請時(shí)間2016年05月17日
- 申請公布號CN105932099A
- 申請公布時(shí)間2016年09月07日
- 分類號H01L31/18(2006.01)I;
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