摘要：本發(fā)明公開了一種通過自底向上填充實現通孔互聯的方法，包括：（a）在基片的一個表面上加工制得盲孔；（b）在加工盲孔的基片表面上依次生長絕緣層、阻擋層和種子層；（c）向種子層表面上涂布光刻膠并填平盲孔，然后執(zhí)行曝光及顯影處理，以使光刻膠僅在盲孔底部的種子層表面上殘留；（d）去除未覆蓋光刻膠的種子層，而盲孔底部的種子層不受影響；（e）去除殘留的光刻膠；（f）向盲孔中填充導電材料完成自底向上的生長；（g）減薄基片未加工盲孔的表面形成通孔，由此完成通孔互聯過程。本發(fā)明還公開了相應的通孔互聯結構產品。通過本發(fā)明，能夠以便于操控、低成本、高效率的方式執(zhí)行通孔電鍍過程，并獲得填充效果更好的通孔互聯結構產品。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華中科技大學;
- 發(fā)明人廖廣蘭;薛棟民;史鐵林;宿磊;獨莉;張昆;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
- 申請?zhí)?/b>CN201310168540.6
- 申請時間2013年05月09日
- 申請公布號CN103325700B
- 申請公布時間2015年11月18日
- 分類號H01L21/60(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L21/74(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;
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