摘要：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體晶片熱處理設(shè)備及方法，涉及半導(dǎo)體晶片工藝技術(shù)領(lǐng)域，該熱處理設(shè)備包括：加熱器、工藝管、密封板、進氣管、排氣管、氣體采集單元和氧氣含量測量單元，工藝管的管口垂直向下，工藝管部分置于加熱器中，工藝管的管口外沿處設(shè)置有法蘭，密封板通過法蘭與工藝管連接，排氣管的入口設(shè)于工藝管的側(cè)壁鄰近管口處，進氣管的出口設(shè)于工藝管上與管口相對的一端，氣體采集單元與排氣管的出口連接，氧氣含量測量單元與氣體采集單元連接。本發(fā)明通過設(shè)置氣體采集單元和氧氣含量測量單元，精確地測量熱處理設(shè)備的反應(yīng)腔室內(nèi)部氧氣含量，直至反應(yīng)內(nèi)部氧氣含量低于一定閾值后，再進行熱處理工藝，以保證硅晶片的生產(chǎn)質(zhì)量。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人趙燕平;董金衛(wèi);鐘華;趙星梅;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號M2號樓2層
- 申請?zhí)?/b>CN201110272055.4
- 申請時間2011年09月14日
- 申請公布號CN102881615B
- 申請公布時間2015年05月27日
- 分類號H01L21/67(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;
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