摘要：本發(fā)明涉及一種提高出光效率的LED芯片，所述提高出光效率的LED芯片，包括襯底，所述襯底上設(shè)有N型氮化鎵層，所述N型氮化鎵層上設(shè)有量子阱、P型氮化鎵層及透明導(dǎo)電層，所述N型氮化鎵層上設(shè)有N打線電極，所述N打線電極與N型氮化鎵層電連接；所述透明導(dǎo)電層上設(shè)有P打線電極，所述P打線電極通過透明導(dǎo)電層與P型氮化鎵層電連接；所述N打線電極下設(shè)有N電極反射電極層，所述N電極反射電極層與N型氮化鎵層相接觸；所述P打線電極下方設(shè)有P電極反射電極層，所述P電極反射電極層位于透明導(dǎo)電層下，P電極反射電極層通過透明導(dǎo)電層與P打線電極相隔離。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單緊湊，提高出光效率，降低成本，操作方便，穩(wěn)定可靠。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人柯志杰;鄧群雄;黃慧詩;郭文平;
- 地址214111 江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
- 申請?zhí)?/b>CN201110382497.4
- 申請時(shí)間2011年11月28日
- 申請公布號(hào)CN102394267B
- 申請公布時(shí)間2013年07月03日
- 分類號(hào)H01L33/62(2010.01)I;
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