摘要:本實(shí)用新型公開了一種等位近距離薄膜沉積生長系統(tǒng),它包括箱體,箱體上設(shè)有爐體,爐體兩端設(shè)有支撐桿,爐體的下端設(shè)有下法蘭,下法蘭上端通過下加熱臺支撐架固定連接有下加熱臺,下加熱臺上設(shè)有載物臺,爐體的上端設(shè)有上外接法蘭,上外接法蘭下端通過上加熱臺支撐架固定連接有上加熱臺,所述的支撐桿上設(shè)有旋轉(zhuǎn)支撐架,該旋轉(zhuǎn)支撐架包括轉(zhuǎn)動連接在支撐桿上的固定座和固定螺栓,該固定座和固定螺栓之間垂直設(shè)有導(dǎo)向桿,導(dǎo)向桿上滑動連接一升降桿,升降桿與上外接法蘭固定連接;本實(shí)用新型一種等位近距離薄膜沉積生長系統(tǒng),它結(jié)構(gòu)簡單,操作便捷,可以實(shí)現(xiàn)等位沉積,準(zhǔn)確控制基片正反面溫場,解決了分子漂移擴(kuò)散損耗問題,和長距離的溫度線性不穩(wěn)定等問題,同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)快速升降溫,節(jié)約了工時(shí)功效。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請人安徽貝意克設(shè)備技術(shù)有限公司;
- 發(fā)明人孔令杰;
- 地址230041 安徽省合肥市廬陽區(qū)濉溪路312號
- 申請?zhí)?/b>CN201320213916.6
- 申請時(shí)間2013年04月25日
- 申請公布號CN203373416U
- 申請公布時(shí)間2014年01月01日
- 分類號C23C14/24(2006.01)I;




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