摘要：本發(fā)明公開了一種共蒸設(shè)備，其具有一共蒸腔體，共蒸腔體包括腔體底部、和腔體底部對應(yīng)的腔體頂部、連接腔體底部和腔體頂部的腔體側(cè)壁；腔體頂部設(shè)置旋轉(zhuǎn)裝置，以帶動待鍍膜基片旋轉(zhuǎn)；腔體底部設(shè)置蒸發(fā)電極，以加熱蒸發(fā)鍍膜材料在待鍍膜基片上形成鍍膜；腔體側(cè)壁設(shè)置晶控探頭和晶控?fù)醢?。晶控?fù)醢遄钃踉诰Э靥筋^和蒸發(fā)電極之間，晶控?fù)醢逶O(shè)置有多個通孔；在蒸發(fā)電極加熱蒸發(fā)鍍膜材料對待鍍膜基片進(jìn)行鍍膜的同時，使鍍膜材料以氣相狀態(tài)穿過通孔沉積在晶控探頭上形成鍍膜，進(jìn)而避免晶控探頭鍍膜過厚而降低靈敏度，能夠保證晶控探頭測量鍍膜厚度的準(zhǔn)確性，進(jìn)而保證其確定待鍍膜基片的鍍膜厚度的準(zhǔn)確性。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人成都西沃克真空科技有限公司;
- 發(fā)明人楊小軍;向勇;傅紹英;
- 地址610200 四川省成都市雙流縣蛟龍工業(yè)港（雙流園區(qū)）東海路六段680號
- 申請?zhí)?/b>CN201610283858.2
- 申請時間2016年04月29日
- 申請公布號CN105908133A
- 申請公布時間2016年08月31日
- 分類號C23C14/26(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;
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