摘要：本發(fā)明公開了一種共蒸設備，其具有一共蒸腔體，共蒸腔體包括腔體底部、和腔體底部對應的腔體頂部、連接腔體底部和腔體頂部的腔體側壁；腔體頂部設置旋轉裝置，以帶動待鍍膜基片旋轉；腔體底部設置蒸發(fā)電極，以加熱蒸發(fā)鍍膜材料在待鍍膜基片上形成鍍膜；腔體側壁設置晶控探頭和晶控擋板。晶控擋板阻擋在晶控探頭和蒸發(fā)電極之間，晶控擋板設置有多個通孔；在蒸發(fā)電極加熱蒸發(fā)鍍膜材料對待鍍膜基片進行鍍膜的同時，使鍍膜材料以氣相狀態(tài)穿過通孔沉積在晶控探頭上形成鍍膜，進而避免晶控探頭鍍膜過厚而降低靈敏度，能夠保證晶控探頭測量鍍膜厚度的準確性，進而保證其確定待鍍膜基片的鍍膜厚度的準確性。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人成都西沃克真空科技有限公司;
- 發(fā)明人楊小軍;向勇;傅紹英;
- 地址610200 四川省成都市雙流縣蛟龍工業(yè)港（雙流園區(qū)）東海路六段680號
- 申請?zhí)?/b>CN201610283858.2
- 申請時間2016年04月29日
- 申請公布號CN105908133A
- 申請公布時間2016年08月31日
- 分類號C23C14/26(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;
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