摘要：本發(fā)明公開了一種基于二次諧波顯微術探測單根彎曲半導體納米線中晶格畸變的高靈敏度方法。在顯微系統(tǒng)下，利用探針推動單根納米線一端使之彎曲，從而產生不同程度的晶格畸變。同時，將一束激光聚焦至單根納米線上一點A，并連續(xù)改變泵浦光偏振方向和納米線長軸之間的夾角(偏振角θ)，測定二次諧波強度隨偏振角θ的變化關系。在保持泵浦光聚焦位置在A點不變的情況下，隨彎曲曲率逐漸增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°時的二次諧波強度之比顯著減小。本發(fā)明提供了一種新型測定半導體納米線晶格畸變的全光方法，相對于傳統(tǒng)透射電鏡法，其探測靈敏度提高近一個數(shù)量級，具有不損傷樣品、可測塊體材料，可適用于液態(tài)、低溫等各種環(huán)境等優(yōu)勢。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華中科技大學;
- 發(fā)明人陸培祥;韓曉博;王凱;龍華;王兵;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
- 申請?zhí)?/b>CN201510815035.5
- 申請時間2015年11月22日
- 申請公布號CN105466862A
- 申請公布時間2016年04月06日
- 分類號G01N21/21(2006.01)I;
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