摘要：本發(fā)明公開了一種基于二次諧波顯微術(shù)探測(cè)單根彎曲半導(dǎo)體納米線中晶格畸變的高靈敏度方法。在顯微系統(tǒng)下，利用探針推動(dòng)單根納米線一端使之彎曲，從而產(chǎn)生不同程度的晶格畸變。同時(shí)，將一束激光聚焦至單根納米線上一點(diǎn)A，并連續(xù)改變泵浦光偏振方向和納米線長(zhǎng)軸之間的夾角(偏振角θ)，測(cè)定二次諧波強(qiáng)度隨偏振角θ的變化關(guān)系。在保持泵浦光聚焦位置在A點(diǎn)不變的情況下，隨彎曲曲率逐漸增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°時(shí)的二次諧波強(qiáng)度之比顯著減小。本發(fā)明提供了一種新型測(cè)定半導(dǎo)體納米線晶格畸變的全光方法，相對(duì)于傳統(tǒng)透射電鏡法，其探測(cè)靈敏度提高近一個(gè)數(shù)量級(jí)，具有不損傷樣品、可測(cè)塊體材料，可適用于液態(tài)、低溫等各種環(huán)境等優(yōu)勢(shì)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人陸培祥;韓曉博;王凱;龍華;王兵;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510815035.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年11月22日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105466862A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年04月06日
- 分類號(hào)G01N21/21(2006.01)I;
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