摘要：本發(fā)明提供了一種氣液兩相霧化清洗裝置，涉及半導(dǎo)體晶片工藝技術(shù)領(lǐng)域，包括氣體管道、液體管道以及氣液兩相霧化噴嘴，氣體管道和液體管道的一端設(shè)置在擺臂上，其另一端連通氣液兩相霧化噴嘴以形成霧化顆粒，擺臂帶動氣液兩相霧化噴嘴在晶片邊緣與晶片中心之間做圓弧往復(fù)運動。本發(fā)明通過氣液兩相霧化噴嘴結(jié)構(gòu)，使高速液體流與高速氣體流充分的相互作用，并通過調(diào)整氣體流速和小流量液體流速，形成顆粒尺寸均一的超微霧化液滴，經(jīng)過高速氣體流加速以后，噴射在晶片表面，完成清洗，本發(fā)明促進(jìn)了溝槽中雜質(zhì)向流體主體的傳遞，提高清洗的效率，改善清洗效果，由于霧化顆粒的質(zhì)量小，減少了對晶片表面圖形結(jié)構(gòu)的損傷。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人滕宇;吳儀;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號
- 申請?zhí)?/b>CN201510261375.8
- 申請時間2015年05月21日
- 申請公布號CN104841660A
- 申請公布時間2015年08月19日
- 分類號B08B3/02(2006.01)I;B08B13/00(2006.01)I;
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