摘要：一種用于半導(dǎo)體熱處理設(shè)備的溫度等效控制方法，包括根據(jù)四種控溫模式在穩(wěn)定狀態(tài)下的標(biāo)準(zhǔn)閾值，判斷系統(tǒng)在預(yù)定時(shí)間內(nèi)是否穩(wěn)定；若穩(wěn)定，在采樣周期中連續(xù)采樣四種控溫?zé)犭娕紲y(cè)量值并將所得到的測(cè)量值分別計(jì)算平均值，得到采樣周期中各控溫模式下的穩(wěn)態(tài)值；并根據(jù)穩(wěn)態(tài)差值，計(jì)算得到該采樣周期的Profiling校準(zhǔn)表、Offset校準(zhǔn)表、Profiling?Result1校準(zhǔn)表和Profiling?Result2校準(zhǔn)表；若熱電偶發(fā)生故障，以Wafer?TC測(cè)量溫度為基準(zhǔn)，通過(guò)各校準(zhǔn)表，發(fā)出等效控制指令；溫度控制單元切換到Inner?TC、Outer?TC、OverTempTC或幾者的組合控溫模式下進(jìn)行等效控溫。
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