摘要：本發(fā)明涉及一種基片控溫系統(tǒng)及方法，所述基片控溫系統(tǒng)包括：真空腔室；用于放置基片的樣品臺，設(shè)置在所述真空腔室內(nèi)，且包括用于對所述基片進(jìn)行加熱的加熱器；與所述樣品臺連接的循環(huán)管道，包括入口和出口；惰性氣體源，通過進(jìn)氣閥連接在所述循環(huán)管道的入口處；冷水機(jī)水箱，通過進(jìn)水閥連接在所述循環(huán)管道的入口處；以及與所述加熱器、進(jìn)氣閥和進(jìn)水閥電連接的控制單元，當(dāng)需要對所述基片加熱時(shí)，打開所述進(jìn)氣閥且保持所述進(jìn)水閥關(guān)閉；當(dāng)需要對所述基片進(jìn)行降溫時(shí)，打開所述進(jìn)水閥且保持所述進(jìn)氣閥關(guān)閉。本發(fā)明可以對基片的溫度進(jìn)行控制。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院;上海超導(dǎo)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人趙升升;高素萍;潘展程;彭楚堯;
- 地址518055 廣東省深圳市南山區(qū)西麗湖深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院
- 申請?zhí)?/b>CN201510737946.0
- 申請時(shí)間2015年11月03日
- 申請公布號CN105296952A
- 申請公布時(shí)間2016年02月03日
- 分類號C23C14/54(2006.01)I;
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