摘要：一種金屬基帶上適用于IBAD-MgO生長的簡化阻擋層及其制備方法，該簡化阻擋層設(shè)置在金屬基帶上，為單一YAlO阻擋層，采用多通道脈沖激光鍍膜技術(shù)或者多通道磁控濺射技術(shù)來制備該單一YAlO阻擋層。本發(fā)明制備得到具有光滑表面、表面顆粒大小均勻、粗糙度低、結(jié)合力強的YAlO阻擋層，YAlO阻擋層既能阻擋金屬基帶的原子擴散到其它層，降低金屬基帶的粗糙度，又能作為IBAD-MgO層的形核層。YAlO阻擋層的表面粗糙度小于2納米，在其上制備得到的IBAD-MgO層的面內(nèi)織構(gòu)度達到7°以下，適合于在其上外延生長高性能的稀土氧化物超導(dǎo)層。本發(fā)明減少了IBAD-MgO用阻擋層的層數(shù)，實現(xiàn)制造工藝的簡單化、快速化和低成本化，具有高的穩(wěn)定性，重復(fù)性和可靠性，適合于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，在工業(yè)上有較好應(yīng)用前景。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人上海超導(dǎo)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人李貽杰;劉林飛;肖桂娜;
- 地址201203 上海市浦東新區(qū)芳春路400號1幢3層301-15
- 申請?zhí)?/b>CN201310225367.9
- 申請時間2013年06月07日
- 申請公布號CN103255369B
- 申請公布時間2016年06月22日
- 分類號C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;
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