摘要:一種基于IBAD-MgO金屬基帶的簡化隔離層及其制備方法,在IBAD-MgO金屬基帶上,采用經(jīng)簡化了的單層CeO2隔離層結(jié)構(gòu)代替復(fù)雜的LaMnO3/MgO、CeO2/MgO和CeO2/LaMnO3雙層復(fù)合隔離層結(jié)構(gòu),簡化了復(fù)合隔離層結(jié)構(gòu),減少了隔離層層數(shù),大大降低了鍍膜成本,工藝可重復(fù)性和可靠性高,所得薄膜的質(zhì)量高、表面光滑、致密性好、結(jié)合力強,所得薄膜的顆粒大小均勻可控。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人上海超導(dǎo)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人李貽杰;劉林飛;肖桂娜;
- 地址201203 上海市浦東新區(qū)芳春路400號1幢3層301-15
- 申請?zhí)?/b>CN201310176921.9
- 申請時間2013年05月14日
- 申請公布號CN103215546A
- 申請公布時間2013年07月24日
- 分類號C23C14/08(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;




教育裝備采購網(wǎng)企業(yè)微信客服
京公網(wǎng)安備11010802043465號

