基于IBAD-MgO金屬基帶的簡(jiǎn)化隔離層及其制備方法

　　摘要：一種基于IBAD-MgO金屬基帶的簡(jiǎn)化隔離層及其制備方法，在IBAD-MgO金屬基帶上，采用經(jīng)簡(jiǎn)化了的單層CeO2隔離層結(jié)構(gòu)代替復(fù)雜的LaMnO3/MgO、CeO2/MgO和CeO2/LaMnO3雙層復(fù)合隔離層結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化了復(fù)合隔離層結(jié)構(gòu)，減少了隔離層層數(shù)，大大降低了鍍膜成本，工藝可重復(fù)性和可靠性高，所得薄膜的質(zhì)量高、表面光滑、致密性好、結(jié)合力強(qiáng)，所得薄膜的顆粒大小均勻可控。

專利類型發(fā)明專利
申請(qǐng)人上海超導(dǎo)科技股份有限公司;
發(fā)明人李貽杰;劉林飛;肖桂娜;
地址201203 上海市浦東新區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層301-15
申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310176921.9

申請(qǐng)時(shí)間2013年05月14日

申請(qǐng)公布號(hào)CN103215546A

申請(qǐng)公布時(shí)間2013年07月24日

分類號(hào)C23C14/08(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;

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