摘要：本發(fā)明涉及一種C/SiC-HfB2-HfC超高溫陶瓷基復(fù)合材料的制備方法，采用真空壓力浸漬法在纖維增強(qiáng)復(fù)合材料預(yù)制體中引入B4C和C有機(jī)前軀體，結(jié)合反應(yīng)熔體浸滲法，利用硅鉿合金與B4C、C反應(yīng)，原位生成SiC、HfB2和HfC。得到的材料具有良好的力學(xué)性能且含有多種抗燒蝕成分，生成的HfB2和HfC晶粒細(xì)小，體積含量高，有效的提高了抗燒蝕性能。本發(fā)明能夠適用于復(fù)合材料，且可以產(chǎn)生HfC，SiC和HfB2相，有效增加基體中的鉿化合物相的體積分?jǐn)?shù)，提高其在超高溫環(huán)境下的抗燒蝕能力。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人西北工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人王一光;羅磊;劉俊朋;段劉陽;張立同;成來飛;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請?zhí)?/b>CN201410203159.3
- 申請時間2014年05月14日
- 申請公布號CN103979974B
- 申請公布時間2016年02月24日
- 分類號C04B35/565(2006.01)I;C04B35/52(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;
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