摘要：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種硅基片及橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS，用于消除硅基片上的溝槽在進行LOCOS工藝后殘留的空隙，提高LDMOS的合格率。本發(fā)明公開了一種硅基片，包括：硅基片本體，以及間隔均勻的設(shè)置在硅基片本體上的多個溝槽；且多個溝槽的底面積之和與硅基片本體上多個溝槽所在的面的面積滿足以下關(guān)系式：S1/S=0.56，其中，S1為多個溝槽的底面積之和，S為硅基片本體上多個溝槽所在的面的面積。上述硅基片完成LOCOS工藝后，多個溝槽將由生成的二氧化硅完全填充滿，不會留有空隙，從而提高了LDMOS的合格率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北大方正集團有限公司;北京北大方正電子有限公司;
- 發(fā)明人聞?wù)h;馬萬里;趙文魁;
- 地址100871 北京市海淀區(qū)成府路298號方正大廈9層
- 申請?zhí)?/b>CN201310013042.4
- 申請時間2013年01月14日
- 申請公布號CN103928512B
- 申請公布時間2016年09月21日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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