摘要：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種硅基片及橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS，用于消除硅基片上的溝槽在進(jìn)行LOCOS工藝后殘留的空隙，提高LDMOS的合格率。本發(fā)明公開了一種硅基片，包括：硅基片本體，以及間隔均勻的設(shè)置在硅基片本體上的多個(gè)溝槽；且多個(gè)溝槽的底面積之和與硅基片本體上多個(gè)溝槽所在的面的面積滿足以下關(guān)系式：S1/S=0.56，其中，S1為多個(gè)溝槽的底面積之和，S為硅基片本體上多個(gè)溝槽所在的面的面積。上述硅基片完成LOCOS工藝后，多個(gè)溝槽將由生成的二氧化硅完全填充滿，不會(huì)留有空隙，從而提高了LDMOS的合格率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人北大方正集團(tuán)有限公司;北京北大方正電子有限公司;
- 發(fā)明人聞?wù)h;馬萬里;趙文魁;
- 地址100871 北京市海淀區(qū)成府路298號(hào)方正大廈9層
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310013042.4
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年01月14日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103928512B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年09月21日
- 分類號(hào)H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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