摘要：本發(fā)明提供了一種帶離子阱的脈沖式輝光放電離子源，包括：電源、能夠產(chǎn)生離子的放電體C和離子引出電極B2，放電體C的高壓端連接電源，低壓端通過相互串聯(lián)的限流電阻R1和高壓開關(guān)S1接地，離子引出電極B2的一端通過分壓電阻R3連接放電體C的高壓端，另一端通過相互串聯(lián)的分壓電阻R2和高壓開關(guān)S2接地，放電體C包括兩個(gè)位置相對的正負(fù)放電電極和筒狀可提供穩(wěn)定的脈沖輝光放電區(qū)域的離子源電極筒，該正負(fù)放電電極通過開設(shè)在離子源電極筒側(cè)壁上的開孔伸入到離子源電極筒內(nèi)。本發(fā)明所述脈沖式輝光放電離子源，實(shí)現(xiàn)了脈沖離子流強(qiáng)度及脈寬的可調(diào)控。同時(shí)克服了離子附著離子源管壁的問題，減少了離子損失，提高了離子引出率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人武漢矽感科技有限公司;上海矽感信息科技有限公司;
- 發(fā)明人劉立秋;馬軍;張偉;顏毅堅(jiān);徐翔;張亦揚(yáng);
- 地址430000 湖北省武漢市東西湖區(qū)臺商投資區(qū)吳南路4號
- 申請?zhí)?/b>CN201210448724.3
- 申請時(shí)間2012年11月12日
- 申請公布號CN102945785A
- 申請公布時(shí)間2013年02月27日
- 分類號H01J49/10(2006.01)I;H01J49/12(2006.01)I;G01N27/62(2006.01)I;
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