摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種抗輻射SRAM時(shí)序控制電路及時(shí)序處理方法，用于解決現(xiàn)有抗輻射SRAM時(shí)序控制電路在輻射環(huán)境下可靠性差的技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)方案是在存儲(chǔ)器陣列中增加一行一列存儲(chǔ)單元來(lái)跟蹤存儲(chǔ)器關(guān)鍵信號(hào)線包括字線和位線的狀態(tài)，每次存儲(chǔ)器讀寫(xiě)操作都選中跟蹤單元的行和列，將跟蹤單元的字線和位線的狀態(tài)反饋給時(shí)序控制單元。時(shí)序控制單元依據(jù)反饋信號(hào)及輸入時(shí)鐘產(chǎn)生SRAM的內(nèi)部時(shí)序控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入和讀出。由于采用存儲(chǔ)單元跟蹤技術(shù)，整個(gè)時(shí)序完全依賴(lài)于存儲(chǔ)器自身的速度變化自動(dòng)調(diào)節(jié)?；赟RAM時(shí)序控制電路的時(shí)序處理方法使得SRAM在受輻射影響內(nèi)部電路工作速度的情況下仍然能夠產(chǎn)生正確的時(shí)序信號(hào)，避免了誤操作。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人西北工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人魏曉敏;高德遠(yuǎn);魏廷存;陳楠;高武;鄭然;王佳;胡永才;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210296626.2
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年08月20日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102855927B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年01月28日
- 分類(lèi)號(hào)G11C11/413(2006.01)I;
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