摘要：本發(fā)明涉及一種制備Al摻雜的碳化硅納米線的方法，技術(shù)特征在于：在無催化劑的條件下以反應(yīng)燒結(jié)的硅基陶瓷和石墨粉為前驅(qū)體在硅基陶瓷表面大量合成的Al摻雜SiC納米線。本方法低成本、高效地制備大量的高純Al摻雜的SiC納米線。此外，通過調(diào)整制備溫度可以有效控制合成Al摻雜的SiC納米線的形貌和尺寸。合成的納米線主要由大量的直徑變化的6H-SiC納米線組成。納米線的中心線或中心桿的直徑分布在50～100nm范圍內(nèi)，中心線或中心桿上節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)的直徑分布在150～300nm范圍內(nèi)，且都是由Si、C、Al、O等四種元素組成。它們的長度可控，最長可以達(dá)到毫米數(shù)量級。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人西北工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人李賀軍;褚衍輝;付前剛;李克智;李露;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請?zhí)?/b>CN201210206341.5
- 申請時(shí)間2012年06月21日
- 申請公布號CN102701207B
- 申請公布時(shí)間2013年10月09日
- 分類號C01B31/36(2006.01)I;
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