摘要：本發(fā)明涉及一種超薄碳化硅材料的制備方法，將硅源與碳源相距0?100cm放置于反應(yīng)爐管內(nèi)；以1℃/min?300℃/min的速率升溫至600℃－2300℃，反應(yīng)爐管抽至真空度為10?5?105Pa，在保護氣氛下反應(yīng)1?2880min；然后以1℃/min?500℃/min的速率冷卻至室溫，得到超薄碳化硅材料。本發(fā)明制備工藝簡單，制得的超薄碳化硅（5納米厚度以下）是一種具有寬禁帶并且能夠穩(wěn)定存在的二維材料，它的誕生克服了石墨烯沒有禁帶和單層二硫化鉬不能穩(wěn)定存在的缺點?？蓮V泛用于量子光源、光電、半導(dǎo)體原型器件、微電子電路、射頻器件、集成電路、光催化、海水淡化、納米能源、復(fù)合材料等技術(shù)領(lǐng)域。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人林時勝;章盛嬌;李曉強;吳志乾;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
- 申請?zhí)?/b>CN201410511422.5
- 申請時間2014年09月29日
- 申請公布號CN104291339B
- 申請公布時間2016年08月17日
- 分類號C01B31/36(2006.01)I;
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