摘要：本發(fā)明提供了一種基板的制作方法和芯片封裝方法，該方法包括：提供形成有籽晶層的基板；在所述籽晶層上形成第一絕緣掩膜層，所述第一絕緣掩膜層內(nèi)形成有多個第一開口，所述第一開口露出籽晶層；在所述第一開口形成基板焊盤；在所述基板焊盤和第一絕緣掩膜層上形成第二絕緣掩膜層，所述第二絕緣掩膜層內(nèi)形成有多個第二開口，所述第二開口的位置與基板焊盤的位置對應；進行電鍍沉積工藝，在所述第二開口內(nèi)形成導電凸塊；去除所述第一掩膜絕緣層和第二掩膜絕緣層；去除未被所述基板焊盤覆蓋的籽晶層；形成覆蓋所述基板焊盤、剩余的籽晶層的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層與所述導電凸塊齊平。本發(fā)明提高了基板上金屬凸塊的共面性和封裝后芯片的良率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人無錫江南計算技術(shù)研究所;
- 發(fā)明人吳小龍;吳梅珠;劉秋華;徐杰棟;劉曉陽;胡廣群;毛少昊;邵鳴達;
- 地址214083 江蘇省無錫市濱湖區(qū)軍東新村030號
- 申請?zhí)?/b>CN201010546040.8
- 申請時間2010年11月15日
- 申請公布號CN102468186A
- 申請公布時間2012年05月23日
- 分類號H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;C25D3/38(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;
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