摘要：本發(fā)明公開了一種提高氮化鎵基發(fā)光二極管抗靜電能力的方法，該發(fā)光二極管外延片結(jié)構(gòu)從下向上的順序依次為襯底，低溫緩沖層，未摻雜的氮化鎵高溫緩沖層，氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格結(jié)構(gòu)，未摻雜的氮化鎵高溫緩沖層、N型接觸層、N型氮化鎵導(dǎo)電層、發(fā)光層多量子阱結(jié)構(gòu)MQW、P型氮化鋁鎵電子阻擋層、P型氮化鎵導(dǎo)電層、P型接觸層，本發(fā)明在未摻雜的氮化鎵高溫緩沖層中插入了一氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格周期結(jié)構(gòu)。氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格周期結(jié)構(gòu)的插入能有效改善材料的晶體質(zhì)量，從而提高氮化鎵基發(fā)光二極管抗靜電能力，提高器件的可靠性和穩(wěn)定性。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人劉玉萍;魏世禎;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200910062768.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2009年06月22日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101645480B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年05月30日
- 分類號(hào)H01L33/00(2006.01)I;
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