摘要：本發(fā)明公開了一種提高發(fā)光二極管外量子效率的方法，發(fā)光二極管外延片結(jié)構(gòu)中P型層的生長(zhǎng)方式采用了一種新穎的粗化方法：提高P型層Mg的摻雜濃度，從而達(dá)到外延片表面粗糙化的效果。粗化層可以是P型復(fù)合層中任意一層，或多層，或某一層某一個(gè)區(qū)域。本發(fā)明方法的設(shè)計(jì)既保證了較高的空穴濃度又提供了粗化表面，LED表面粗化層將那些滿足全反射定律的光改變方向，破壞光線在LED內(nèi)部的全反射，提升出光效率，從而提高外量子效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人劉玉萍;魏世禎;孫飛;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200910061316.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2009年03月27日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101521258B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年07月31日
- 分類號(hào)H01L33/00(2006.01)I;
教育裝備采購網(wǎng)企業(yè)微信客服
京公網(wǎng)安備11010802043465號(hào)
