摘要：本發(fā)明涉及一種單根一維納米材料散射光譜的顯微成像測量方法及裝置，其特征在于：在基于邁克耳孫干涉儀的測量光路中引入一個(gè)由雙顯微物鏡構(gòu)成的顯微成像裝置，收集來自單根一維納米材料的微弱散射光信號(hào)進(jìn)行成像和探測。第一激光器輸出的探測光和第二激光器輸出的參考光同時(shí)進(jìn)入邁克耳孫干涉儀，邁克耳孫干涉儀輸出的參考光經(jīng)過反射鏡到達(dá)第一探測器，邁克耳孫干涉儀輸出的探測光依次經(jīng)過顯微成像裝置、凸透鏡到達(dá)第二探測器。本發(fā)明提出的方法及裝置，綜合了顯微成像技術(shù)和傅里葉變換光譜技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，在測量單根一維納米材料散射光譜的同時(shí)，還可以確定單根一維納米材料的位置，具有高分辨率、高靈敏度和高信噪比的優(yōu)點(diǎn)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人西北工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人趙建林;尚武云;姜碧強(qiáng);肖發(fā)俊;
- 地址710072 陜西省西安市碑林區(qū)友誼西路127號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201610016162.3
- 申請(qǐng)時(shí)間2016年01月12日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105424617A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年03月23日
- 分類號(hào)G01N21/27(2006.01)I;
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