摘要：本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法，可編程模擬電路包括：阻變?cè)?、第一電阻、第二電阻、N型MOS管和P型MOS管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻變?cè)囊欢伺c第一電阻的另一端連接，阻變?cè)牧硪欢俗鳛榭删幊棠M電路的第二端口；N型MOS管的漏極和P型MOS管的漏極均連接至阻變?cè)牧硪欢?，N型MOS管的源極和P型MOS管的源極均接地；第二電阻的一端與第一電阻的另一端連接，第二電阻的另一端、N型MOS管的柵極和P型MOS管的柵極連接后作為可編程模擬電路的脈沖輸入端。本發(fā)明通過(guò)改變阻變?cè)淖柚祦?lái)改變電路的性能，可應(yīng)用于多種現(xiàn)有模擬電路之中，并且使用器件數(shù)較少，操作簡(jiǎn)單，節(jié)省功耗和時(shí)間，提高電路工作效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人繆向水;孫康;李祎;孫華軍;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510127484.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年03月23日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN104702264A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年06月10日
- 分類號(hào)H03K19/00(2006.01)I;
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